华海清科：以磨切抛装备创新赋能先进封装发展

2026年5月27日至29日，第十届集微大会在上海张江科学会堂隆重举行。本届大会以 “AI重构未来、生态协同致远” 为主题，由半导体投资联盟、浦东科创、ICT知识产权发展联盟和海望资本联合主办，爱集微承办，汇聚全球资源，共筑产业新生态。

大会首日，华海清科股份有限公司磨划装备事业部副总经理靳凯强在先进封装与测试技术创新峰会上发表了《面向先进封装的磨、切、抛工艺创新及装备解决方案》的主题演讲。靳凯强指出，3D IC、先进封装现已成为我国高端芯片跨越式发展的重要方向。而堆叠集成的实现需要磨、切、抛等创新工艺及关键装备的支撑。演讲中，靳凯强对CMP、减薄、划切、边抛、湿法等装备的技术进展进行了深入地介绍。

堆叠集成催生装备新需求

靳凯强指出，后摩尔时代高端芯片的发展存在两条赛道：一条是线宽的持续微缩，从平面晶体管往三维结构（FinFET/GAA）发展；另一条是当前快速发展的三维集成，包括3D IC/先进封装等技术均归属于这条赛道。目前，3D IC、先进封装已经成为我国高端芯片实现跨越式发展的重要方向。

从当前先进封装领域的发展趋势来看，人工智能与高性能计算拉动了3D IC与先进封装技术，堆叠集成成为突破摩尔定律瓶颈、提升芯片性能的有效手段。其中又涉及大量磨、切、抛的应用场景。以HBM产品为例，HBM需要通过多个DRAM芯片的直接垂直互连，提高带宽，这是实现AI大算力的关键环节。目前DRAM堆叠层数已高达12层，并且还在往更多的层数发展。

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要想实现这样的三维堆叠，需要通过键合、减薄实现超薄器件堆叠，需要CMP设备、减薄设备等一系列关键设备的支撑。针对2.5D/3D IC，华海清科可以提供CMP、减薄、环切、清洗等高端装备以及配套整合工艺的全套解决方案，产品覆盖Hybrid bonding、TSV 、 Fan out、EMC、RDL等多种应用需求。

多项设备创新助力技术落地

以CMP装备Universal-300X/T为例，这是华海清科的成熟量产机型，机台配置灵活、稳定性高。在面向Hybrid bonding Cu CMP Process应用中，可达到各层layer均匀性均超高的效果。

背面减薄是实现多层堆叠、异质集成的核心技术，3D IC通过键合与减薄工艺可实现多层晶圆堆叠与互连。晶圆减薄是其中的关键工艺之一。华海清科的减薄装备Versatile-GP300，具备减薄-CMP一体化架构，具有更高加工精度能力，产品适用于3D IC、先进封装减薄，兼容大翘曲晶圆、TSV、玻璃基板等需求，应用场景广泛涵盖3D NAND、Chiplet、CIS、SOI、BSPDN等。

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在Versatile-GP300的设计开发中，有多个创新点：华海清科国际首创的磨削-抛光-清洗一体化架构，实现跨洁净度等级的系统集成；半包围高刚性超精密磨削单元设计，大幅提升减薄单元的刚性和稳定性；双闭环面型智能调控系统，打通了数据链实现减薄与CMP的联调，大幅提升了TTV的控制能力；磨-抛-洗高匹配的一体化工艺，综合效果优于国外龙头。

减薄贴膜一体机Versatile-GM300的产品特点在于减薄贴膜一体联机，配置干抛技术，具有超薄片处理能力，产品适用于BG、DBG、SDBG等后道封装的减薄。为应对不同客户的加工需求，GM300系列已逐渐演化出三种配置：Z3 - Dry Polish配置以干抛方式去除应力和损伤层，可平衡成本与品质，具有很高的性价比；Z3 – 超精磨配置使用超精磨磨轮加工，加快研磨效率，可实现更大的WPH；Z3 – CMP配置是以CMP方式去除应力和损伤层，可提高wafer表面洁净度，实现更小粗糙度。

此外，靳凯强还介绍了划切装备Versatile-DT300，可以抑制晶圆减薄后的崩边；边抛装备Master-BN300，可通过抛光带去除晶圆边缘的损伤；以及单片清洗机、Frame 清洗机 HPC-F3410等清洗装备。

华海清科现已形成面向3D IC与先进封装的磨、切、抛等整体工艺装备解决方案，可有效支撑AI时代国产半导体发展的广泛需求。

最后，靳凯强介绍了华海清科当前的发展概况。公司在天津、北京、上海（规划中）均建有生产基地，聚焦高端IC装备，可提供整套解决方案炒股心态，产品应用领域涉及逻辑芯片、存储芯片、功率、MEMS、先进封装、化合物、材料衬底、新型光学等，产品覆盖CMP、WET、Implant、Grinding、Trim等工艺流程。